鋰離子電池管理芯片的應用及發(fā)展
1、鋰離子電池的特點及應用
早在1912年，以金屬鋰作為電極的鋰電池(Li Battery)的研究就開始了，到上世紀七十年代，不可充電的鋰電池才**應用在商業(yè)領(lǐng)域。上世紀八十年代，研究的重點集中在可充電的鋰離子電池(Li-ion Battery)上，但并沒有成功解決電池的**性問題。一直到1991年，Sony公司**實現(xiàn)了鋰離子電池商業(yè)化，被認為是能源技術(shù)領(lǐng)域的一個重要的里程牌。
如表1.1所示，和Ni-Cd等其它二次電池相比，鋰離子電池具有更高的能量密度(包括質(zhì)量比能量和體積比能量)、更高的充放電循環(huán)、更低的放電率和更高的單節(jié)電池工作電壓(3.6V)。顯然，鋰離子電池的高工作電壓將有利于減小移動裝備的尺寸，高能量密度將有利于電池的輕量化，低放電率也能保證存儲期間的正常使用。
這十幾年間，鋰離子電池的應用獲得了巨大發(fā)展，現(xiàn)已成為通訊類電子產(chǎn)品的主要能源之一，被廣泛應用在筆記本電腦、GSM/CDMA、數(shù)碼相機、攝像機及 PDA等**便攜式消費類電子產(chǎn)品中。如果將1997年以前適應筆記本電腦市場、降低電池成本、提高容量稱為鋰離子電池第一個黃金時期，那么在手機、攝像機等便攜電子產(chǎn)品的普及將使鋰離子電池產(chǎn)業(yè)進入**個黃金時期。比如，2004年94%的手機電池是鋰離子電池。隨著技術(shù)的發(fā)展，對鋰離子電池的需求將日益旺盛，2005年預計達12億只。從鋰離子電池的生產(chǎn)和銷售分布來看，在2000年以前，日本是鋰離子電池的最大生產(chǎn)和銷售國，市場占有率達到95%以上。但近年來隨著中國和韓國的迅速崛起，日本一支獨秀的格局已經(jīng)被逐漸打破，預計2005年日本鋰離子電池的全球市場占有率將跌至50%以下。
2、鋰離子電池管理芯片的重要性
在鋰離子電池的研究開發(fā)中，提高使用**性問題一直是研究的重點。由于質(zhì)量比能量高，而且電解液大多為有機易燃物等，當電池熱量產(chǎn)生速度大于散熱速度時，就有可能出現(xiàn)**性問題。有研究指出，鋰離子電池在濫用時，有可能達到700°C以上的高溫，從而導致電池出現(xiàn)冒煙、著火乃至爆炸;在過放電到低于1V 時，正極表面將析出銅，造成電池內(nèi)部短路;在過流情況下，電池內(nèi)部溫度也極易升高，使電池性能惡化乃至損壞。圖1.1.1給出了在過充電和過放電情況下，鋰離子電池內(nèi)部的化學反應及性能的變化，式中M代表Co、Al、Ni等金屬離子。
要提高鋰離子電池使用的**性，除了進行深入的機理研究，選擇合適的電極材料及優(yōu)化整體結(jié)構(gòu)之外，還必須通過電池外圍的集成電路(IC)對電池進行有效的管理。有報道稱近年來，電池管理(Battery Management)芯片，無論是銷售額還是銷售量在功耗管理(Power Management)芯片中有望增長得最快。鋰離子電池管理目標包含對電池電壓監(jiān)測、充放電電流監(jiān)測、溫度監(jiān)測、數(shù)據(jù)計算以及存儲。管理芯片中，包括保護電路、燃料檢測電路以及能夠?qū)嵭须姵財?shù)據(jù)傳輸?shù)南到y(tǒng)被稱為智能電池系統(tǒng)(Smart Battery System， SBS)。SBS電池組結(jié)構(gòu)如圖1.1.2所示，它由溫度傳感器、能檢測雙向電流的電流檢測器、ADC、EEPROM存儲器、時鐘、狀態(tài)/控制電路、與主系統(tǒng)單線接口及地址、鋰離子電池保護電路等組成。其中由ADC轉(zhuǎn)換的數(shù)字量存儲在相應的存儲器內(nèi)，通過單線接口與主系統(tǒng)連接，對內(nèi)部存儲器進行讀/寫的訪問及控制。SBS除了能對電池進行有效地保護之外，還能輸出電池剩余能量信號(可用LCD顯示)，這將是鋰離子電池管理芯片發(fā)展的主要目標。目前，SBS 應用的協(xié)議發(fā)展到了SBdata1.1(數(shù)據(jù)協(xié)議)和SMbus2.0(總線協(xié)議)，而在IBM和索尼等筆記本電腦中，有幾個型號已采用了基于電池保護電路的SBS.。
在鋰離子電池管理芯片中，保護電路由于能夠?qū)崿F(xiàn)對電池電壓、充放電電流監(jiān)測，它既能單獨內(nèi)置在鋰離子電池中，也能在SBS中充當二次保護電路用，更可貴的是，它能實現(xiàn)對Ni-Cd、Ni-H電池的同等保護，所以在電池管理芯片中占了很大的份額。
3、電池管理芯片的發(fā)展現(xiàn)狀
目前，國外的Unitrode、Texas、Dallas等公司紛紛開展了對鋰離子電池管理芯片的研究和開發(fā)。和電池產(chǎn)量在全球市場占有率不斷下滑不同的是，日本的鋰離子電池管理芯片，尤其是保護電路的設計開發(fā)，始終在全球占有主導地位。最有名的產(chǎn)品是精工的S82系列、理光的R54系列和MITSUMI 的MM3061系列等。其中，S82系列產(chǎn)品因為功能齊全、精度高和功耗低，被認為是鋰離子電池管理芯片設計的領(lǐng)跑者之一。而在中國，除了臺灣有個別單位已開發(fā)出了功能較為簡單的保護芯片外，近年來，雖然也有個別大陸單位開始研究鋰離子電池保護電路，但都處于起步階段，精度低、沒有統(tǒng)一的保護標準。更主要的是，目前國內(nèi)還沒有具有獨立自主產(chǎn)權(quán)的電路出現(xiàn)。
目前，為了在最長的電池使用時間和最輕的重量之間取得平衡，越來越多的便攜式設備如手機、攝像機等都采用單節(jié)鋰離子電池作為主電源。目前單節(jié)鋰離子電池的管理芯片研究，重點在于：
①除了要對電池充電過程進行有效管理外，還更迫切地需要實現(xiàn)對充電及使用過程的全程保護。這要求芯片不僅具有完備的保護功能，而且保護精度如電池電壓、延時時間的檢測和控制精度達到實用要求。
②應該盡可能地降低功耗以延長供電電池的使用壽命。作為封裝后電池的一部分，芯片的驅(qū)動始終來自被管理的電池，因此要求芯片要有足夠低的電流消耗。
作為一個數(shù)模混合信號電路，可以借鑒已有的一些功耗優(yōu)化方法，但是結(jié)合應用特點降低功耗，還要進行更深入的理論探索。
因此，研究以單節(jié)鋰離子保護電路為代表的電池管理芯片的低功耗，從系統(tǒng)功能實現(xiàn)到數(shù)模混合信號電路低功耗的設計，對電池管理芯片的設計乃至SBS的開發(fā)都將有相當?shù)慕梃b作用。
數(shù)模混合信號電路的低功耗設計
1、集成電路的低功耗設計動因
在集成電路發(fā)展的早期到上世紀八十年代，功耗問題并不是很突出。在這段時間內(nèi)，由于電路系統(tǒng)規(guī)模普遍較小和CMOS工藝的興起，低功耗尚未被作為IC設計的重要因素。
在1968年，Intel公司的創(chuàng)始人之一G. Moore就預測，每18到24個月，IC的集成度將提高一倍，這就是有名的Moore定律。而事實上，這四十多年來，IC技術(shù)就是基本上遵循著 Moore定律取得了巨大的發(fā)展。集成電路經(jīng)歷了從小規(guī)模集成(SSI)發(fā)展到超大規(guī)模(VLSI)到現(xiàn)在的甚大規(guī)模集成(ULSI)，即一個芯片上可以包含一億以上的元件的水平。雖然量子效應和經(jīng)濟的限制將使IC集成度增長的速度趨緩，但是可以預見的是，隨著新技術(shù)的采用IC的集成度持續(xù)發(fā)展的勢頭將不會改變。同時，系統(tǒng)的復雜度也在不斷地提高，即將不同功能的器件和電路都集成到一個芯片上，構(gòu)成一個系統(tǒng)集成芯片(SOC)。顯然，集成電路復雜度和集成度的提高使得低功耗正成為一個不可或缺的電路設計指標。
首先，過高的功耗將使芯片容易過熱，電路可靠性下降，最終導致失效。有研究表明，溫度每升高10 C，器件的故障率將提高兩倍;另外，不斷增高的功耗將給芯片的封裝和散熱提出了更高的要求，這不僅會增加成本，而且在小型化應用場合中，這種方案往往不被采納。
更重要的是，消費類電子產(chǎn)品的發(fā)展和大量應用推動了對功耗問題的研究。
低功耗的概念是由電子手表等工業(yè)**提出的，而在小型化、高集成度的消費類電子產(chǎn)品中，為了降低電路成本、提高電路穩(wěn)定性、可靠性，更需要設計低功耗電路，以保證在集成度提高時，單位面積維持同樣甚至更低的功耗。同時，因為在過去的三十年中電池的容量僅僅增加了2～4倍，遠沒有VLSI技術(shù)的發(fā)展迅速，所以在電池供電系統(tǒng)中，集成電路的低功耗設計是延長電池使用壽命的最有效手段。此外，便攜式設備趨于使用更少的電池，以減小尺寸和重量，也必然要求電路實現(xiàn)低功耗。和十年前相比，消費類電子產(chǎn)品在電子產(chǎn)業(yè)中的比例已從40%快速增長到55%，因此可以說消費類電子產(chǎn)品是低功耗設計的主要推動力。
2、數(shù)模混合信號電路的低功耗研究
在這種技術(shù)需求和便攜式電子產(chǎn)品的應用需求的強烈推動下，CMOS集成電路低壓低功耗設計受到了人們的極大重視。目前，人們對集成電路的功耗研究，主要集中在以下兩個方面：
一是低功耗工藝的研究。這主要集中在減小特征尺寸、降低電源電壓和降低閾值電壓方面。減小特征尺寸，有助于將復雜系統(tǒng)集成在同一芯片上，進行有效地功耗管理。但是當特征尺寸縮小到一定程度，熱載流子效應、動態(tài)節(jié)點的軟失效將極大地影響著器件的性能，降低電源電壓成為解決上述問題的較好方案。為了保證低壓邏輯電路的驅(qū)動電流不減少和工作頻率不降低，在降低電源電壓的同時也要求降低閾值電壓，但是同比例降低閾值電壓會使漏泄電流指數(shù)級增加。采用多閾值電壓器件或是采用可變閾值電壓技術(shù)有望減小漏泄電流引起的功耗，而這些技術(shù)都比較依賴制造工藝。
二是低功耗設計方法的研究。這是目前低功耗研究中最為活躍的領(lǐng)域。在工藝確定的情況下，它包括低功耗的設計方法及評估方法，但主要是針對數(shù)字電路。
在保證系統(tǒng)同樣性能的前提下，在芯片設計的初期，就從各個層次對功耗進行分析優(yōu)化，不僅能夠縮短設計周期，還能夠?qū)崿F(xiàn)整體功耗最小化目標。從設計的角度，低功耗設計方法可以分成系統(tǒng)級(System Level)、算法/結(jié)構(gòu)(Architecture/Algorithm Level)、寄存器傳輸級(Register Transfer Level， RTL)、邏輯/門級(Logic/Gate Level)、版圖級(Layout Level)這幾個層次。其中，系統(tǒng)及算法作為低功耗技術(shù)中的高層次，對系統(tǒng)功耗的影響很大。在這種層次上的功耗分析將能對系統(tǒng)功耗進行預測及優(yōu)化，并能實現(xiàn)幾個數(shù)量級的功耗降低，因此必須加以重視。
有效的功耗評估工具和方法是低功耗研究的另一個重要內(nèi)容。如何在設計的不同層次對電路功耗進行快速準確地估計，也是集成電路設計中的一個熱點和難點問題。通常，把功耗評估分為基于隨機統(tǒng)計和模擬的方法這兩類。
基于隨機統(tǒng)計的功耗估算方法，其基本思想為：先根據(jù)模塊的版圖或邏輯描述，抽取電路或邏輯模型，然后用隨機產(chǎn)生的輸入流模擬，計算平均功耗。
它的優(yōu)點是速度較快，而且不需要電路內(nèi)部信息，但功耗估算準確程度不及基于模擬的方法，因此適用于通常設計的早期階段。
基于模擬的功耗估算方法是用一組典型的輸入矢量進行功耗模擬，以獲得平均功耗、最大功耗及最小功耗值。基于模擬的方法精度高，但所占存儲空間和模擬時間較大，因此可以用一些啟發(fā)信息來加速收斂，如蒙特卡羅(Monte Carlo)
模擬方法和遺傳算法。其中，蒙特卡羅方法是在電路輸入端隨機產(chǎn)生輸入信號，再用模擬方法計算在某一時間間隔內(nèi)的功耗。如果將現(xiàn)有的電路級、門級等模擬方法用于蒙特卡羅程序的內(nèi)環(huán)，將能夠?qū)崿F(xiàn)速度和計算精度的折衷。典型的基于模擬方法的功耗分析軟件有POWERMILL、Entice-Aspen等。
需要指出的是，目前的低功耗研究大多是對模擬和數(shù)字電路進行分開討論。這和模擬電路自身的特點密切相關(guān)。模擬集成電路和處理0或1信號的數(shù)字電路不同，它主要處理幅度、時間、頻率連續(xù)變化的信號，并且具有以下特點：
①電路形式的多樣性。包括數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(如A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器等)、運算放大器、線性放大器(低噪聲放大器、寬帶放大器等)、非線性放大器(模擬乘法器、對數(shù)/反對數(shù)放大器等)、多路模擬開關(guān)、電源電壓調(diào)節(jié)器(線性調(diào)壓器、開關(guān)電源控制器等)、智能功率IC以及各類專用IC.
②性能指標的多樣性。包括精度、輸入范圍、失真、噪聲、電源電壓抑制比(PSRR)、增益、頻率帶寬、輸入/出阻抗等。
③電路結(jié)構(gòu)的多樣性。僅以一個運放為例，就有兩級、Cascode、折疊式(Folded)Cascode、A/AB類放大器、單端/差分放大器等眾多結(jié)構(gòu)。
④器件的多樣性。常見的器件就有晶體管、二極管、電阻、電容、甚至電感等。
模擬電路處理信號的連續(xù)性、電路結(jié)構(gòu)形式的多樣性、性能指標的**性，都使得電路及版圖的設計必須圍繞具體電路展開，設計的自動化程度遠遠低于數(shù)字電路，而難度又遠高于后者。
雖然在數(shù)字時代，數(shù)字電路的設計方法、工藝條件都**于模擬電路，數(shù)字IC的市場占有率也要高于模擬IC，但模擬電路畢竟是數(shù)字電路和現(xiàn)實世界的橋梁，所以它仍然有足夠的發(fā)展空間。另外，在實際的較高復雜度的系統(tǒng)中，總是把存儲電路、邏輯控制電路和模擬電路一起集成在同一芯片中，即所謂的數(shù)模混合電路。 CMOS工藝的成熟和在數(shù)字電路中的普遍應用，也要求系統(tǒng)中模擬電路工藝要和標準CMOS工藝相容，因此，模擬電路中包括功耗在內(nèi)的性能將直接決定著系統(tǒng)的性能。
在混合信號電路中，許多成功應用在數(shù)字電路中的低功耗技術(shù)，并不適合應用在模擬電路中。例如，降低電源電壓是減小功耗的有效方法，但對于模擬電路，給定的動態(tài)范圍、增益和增益帶寬乘積，降低電源電壓將反而使功耗升高，這同時也說明，在低電壓下實現(xiàn)低功耗，是以犧牲電路的一部分性能為代價的。因為模擬電路的性能不能脫離具體的電路來討論，所以有較多的文獻報道了低壓低功耗電路設計。
隨著越來越多的電池供電數(shù)模混合電路的出現(xiàn)，上述傳統(tǒng)的設計方法受到了強烈的挑戰(zhàn)。低功耗必然要求對整個混合信號電路進行統(tǒng)一的功耗管理，而不是將模擬、數(shù)字電路孤立開來。從設計的角度，如何協(xié)同考慮數(shù)字、模擬電路的功耗，會遇到比純數(shù)字電路或純模擬電路更多的困難。
